常壓(無壓)燒結碳化矽-SSiC
一、 產品概述（Product Overview）在半導體晶圓代工邁向奈米級微縮、氟碳電漿蝕刻環境日益嚴苛的趨勢下，傳統材料已達到極限。鋒全應材（F+）所提供的常壓固相燒結碳化矽（Sintered Silicon Carbide, 簡稱 SSiC），是在 2000°C 以上的高溫惰性氣體環境下進行結晶燒結。製程中不添加任何金屬矽（游離矽），形成高純度、結晶緻密且晶界極其乾淨的單相碳化矽陶瓷。無黏結劑的純粹晶體結構，賦予了 SSiC 凌駕於反應燒結（RBSiC）等傳統陶瓷的極致性能。
二、 核心優勢（Core Features）
*頂級抗電漿耐蝕性共價鍵結構（Si-C）極強。
*面對等強效氟碳蝕刻電漿或強酸鹼清洗時，材料蝕刻率極低，大幅延長零組件壽命。
*媲美鑽石的超高硬度硬度達 9+級，具備極高的楊氏模數。
*在高速、高負載的機械磨耗環境下不易變形，維持完美的幾何維度精度。
*卓越的熱震穩定性具備高熱傳導率與極低的熱膨脹係數。
*即使面臨製程中急冷急熱的劇烈溫度衝擊（Thermal Shock），亦不易產生熱應力裂紋。
*1400°C+ 高溫強度不衰減在超過 1400°C 的高溫極端環境下，仍能保持其原有的彎曲強度與抗蠕變性能，不變形、不釋放游離雜質。
*靜電擴散（ESD）效果，保護晶圓免受靜電損傷。
*物理特性項目常壓燒結碳化矽 (SSiC) 主要相結構單相 Alpha-SiC(100%)，游離金屬矽殘留0% ，最高使用溫度1600°C，耐強酸強鹼/電漿能力極優 (相較RBSiC游離矽會先被蝕刻，SSiC晶界無優先腐蝕點)、溶解微粒 (Particle) 污染極低 (不發塵)較高。
三、 核心應用場景（Applications）
半導體前段製程（如蝕刻、擴散、CVD）環境極為苛刻，SSiC 常用於高溫或高腐蝕性的晶圓製造設備內部結構件：
蝕刻機晶圓環（Focus Ring）：在電漿蝕刻（Etching）製程中，零部件需直接面對氟系（Fluorine-based）等腐蝕性氣體與電漿轟擊。SSiC 的耐蝕性與高純度能大幅減少微粒（Particle）污染並延長機台壽命。
晶圓載盤 / 晶舟（Wafer Susceptor / Boat）：在擴散爐、高溫氧化爐及化學氣相沉積（CVD）製程中，SSiC 用於承載晶圓的載盤或晶舟，可承受超過 1,500°C 的高溫且不變形、不釋放金屬雜質。
真空腔體內襯與噴嘴（Chamber Liner & Gas Injector）：高溫反應腔內的防護內襯以及化學氣體噴嘴，利用其優異的熱傳導與抗化學侵蝕特性。
光電(液晶面板/LED)在 LED 產業中，製程的核心在於外延片（磊晶）的生長，SSiC 零部件主要集中於MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）設備中：
MOCVD 磊晶石墨盤塗層 / 整體 SSiC 載盤（MOCVD Susceptor）：LED 在高溫（約 1,000°C - 1,400°C）及充滿氨氣（NH₃）與氫氣的還原性氣體環境下進行磊晶。SSiC 作為石墨基材表面塗層或直接製成整體陶瓷載盤，能有效防止石墨盤掉粉，並確保晶圓加熱時的高導熱均勻性，這對提升 LED 發光波長的一致性至關重要。 [1, 2]
晶圓真空吸嘴與夾具：在 LED 後段的晶圓切割、分選與挑揀（Pick and Place）製程中，SSiC 耐磨、不產生靜電（或具備靜電擴散功能），適合製成高精度的微型吸嘴與機械夾具。
液晶面板（TFT-LCD、OLED 及 Micro LED）在 Array（陣列）段製程與半導體類似，但在中後段則面臨大尺寸玻璃基板搬運與高真空的挑戰：
大尺寸玻璃基板搬運手臂 / 叉齒（LCD Robot Robot Arm / Fork）：液晶面板世代線越高（如 8.5 代、10.5 代線），玻璃基板尺寸越大且極薄。傳送機器人的機械手臂必須極度輕量且具備極高剛性，SSiC 的高剛性可防止手臂在高速懸空搬運時發生下垂或抖動，避免摔碎玻璃。
四、 為什麼選擇鋒全應材？Why F+?
一站式陶瓷複合解決方案：從粉體配方調配、特殊燒結，到高難度的硬脆材料超精密機械加工與陶瓷鍵合，皆在鋒全應材的整合下一體化完成。
極致的控制：完整的工程數據驗證，確保出廠的每一件 SSiC 元件都擁有絕佳的幾何公差與晶圓級潔淨度。
彈性客製化與在地供應鏈支援：深耕台灣半導體產業鏈，能快速回應設備廠的動態修改需求，協同開發下一世代的先進陶瓷模組。
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