導電陶瓷與抗靜電陶瓷Conductive Ceramics

解決高科技製程的靜電與精密雙重挑戰

打破絕緣藩籬，引領精密防靜電 | 半導體工業級別

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在半導體前段、高階晶圓封裝、光電顯示器以及自動化精密搬運製程中，靜電放電（ESD）與微粒吸附（Particle Attraction）一直是導致晶圓損壞、良率下滑的核心痛點。傳統的絕緣陶瓷雖具備高剛性，卻因無法洩放靜電而受限；而金屬材料雖能導電，卻又面臨重量過重、高溫易變形及金屬離子污染的風險。

鋒全應材（FQ Advanced Materials） 憑藉尖端的材料工程技術，成功將「導電性」與「精密陶瓷的結構優勢」完美融合，推出一系列高性能導電陶瓷與抗靜電（靜電擴散）陶瓷材料。

我們透過在氧化鋁材料基體均勻引入受控的導電相晶體，打破了傳統陶瓷的絕緣界限。這項技術不僅賦予材料可精準控制的電阻率（E2或更低~E12），更完整保留了精密陶瓷高硬度、耐磨耗、耐高溫與低熱膨脹的物理極限，是現代奈米級高精密製程必不可少的關鍵耗材。

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鋒全應材導電/抗靜電陶瓷核心優勢

電阻率精準受控，杜絕 ESD 危害
鋒全應材具備獨家的粉體調配與奈米級分散技術，能將材料的表面與體積電阻率穩定控制在特定的靜電耗散區間（ESD Safe Window）。我們可依據客戶製程需求，客製化提供半導體級抗靜電（E6~E9）或高導電級（< E4）材料，確保靜電能以安全、平緩的速度洩放，防止瞬間電弧擊穿晶圓微細線路。

均質體積導電，無塗層剝落風險
本材料屬於「整體型（Bulk）」體積導電陶瓷，並非表面塗層（Coating）。精密的 CNC 切削、機械研磨或長時間的製程磨損，材料整體電性皆保持不變。這徹底解決了傳統金屬鍍膜或高分子防靜電塗層容易因老化、刮傷而剝落，進而產生微粒污染的致命缺點。

極致耐磨與高剛性，減少微粒生成
承襲了工程陶瓷的優良基因，本系列材料擁有極高的莫氏硬度和楊氏模數。高剛性使其在高速度、高頻率的機械往復運動中不易產生結構形變；極高的耐磨耗特性則能大幅減少因接觸摩擦而產生的微米級顆粒（Particles），確保真空腔體內部的極致潔淨度。

優異的化學穩定性與耐高溫性能
在高溫真空環境或面對半導體酸鹼清洗製程時，鋒全應材的導電陶瓷展現出極佳的抗腐蝕性。相較於防靜電塑料或橡膠材料易在高溫下釋出有機揮發物（Outgassing），本材料在數百度的高溫(真空)下依然保持電學性能與幾何結構的雙重穩定。

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鋒全應材導電陶瓷核心應用組件

鋒全應材的導電陶瓷系列已通過多家半導體與高階面板大廠的嚴苛驗證，在以下核心組件中扮演著關鍵角色：

一、 半導體前段與先進封裝（Advanced Packaging）

• 晶圓乘載及移動手臂（Wafer ESD Chuck & Fork）：用於JR type低電壓驅動靜電吸盤材料、製程中移動零部件及設備前端模組(EFEM)，平緩洩放晶圓在移動中累積的靜電，避免吸附空氣中的懸浮微粒。
• 高精密測試治具與晶圓夾具（IC Test Fixtures）：在高頻、高密度的晶片測試（Wafer Testing）中，提供兼具精密絕緣間隔與局部導電防靜電保護的結構底座，確保訊號測試精準不受干擾。

二、 自動化傳送與光電面板產業

• 抗靜電機械手臂叉齒（ESD Robot Arms / End Effectors）：在搬運大尺寸液晶面板、OLED 玻璃基板或大型晶圓時，防止手臂與基板因摩擦產生萬伏特靜電，確保取放動作精準，避免基板因靜電吸附而脫開。
• 真空腔體內部導電導軌與滾輪（Vacuum Tracks & Rollers）：在 PVD/CVD 等濺鍍設備的物料輸送軌道中，取代易磨損的塑料，提供長壽命、零污染且具備接地導電功能的軸承與滑軌組件。
• 製程液晶面板乘載平台（Stage）：在各種製程設備的面板乘載平台(例如SEAL AOI)，取代易磨損的陽極鍍層金屬，提供極優異的耐刮特性避免形成粉塵逸入表面刮痕形成各種製程偏差失誤、保持表面粗糙度避面因長時間磨耗產生的表面粗糙度(Ra)下降所形成的假真空。

三、 精密電子與智能製造

• 表面貼裝技術（SMT）吸嘴與噴嘴：在高速貼片機中，導電陶瓷吸嘴能有效防止微小電子元器件（如 01005 電阻電容）因靜電沾黏在吸嘴上，大幅提升點膠與貼片效率。

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為何選擇鋒全應材？（Why F+?）

• 電阻客製化與高均勻度：我們可依據您的特殊 ESD 設計規範，將電阻值鎖定在極窄的公差範圍內(1次方ohm)，並保證大尺寸組件上「點對點」的電阻均勻一致。
• 奈米級精密加工能力：實現精準的陶瓷材料特性工藝搭配精密加工滿足功能性複合陶瓷零部件的所有期望。鋒全整合業界頂尖精密加工與研磨技術，可實現微米級公差、超高平坦度與鏡面級的表面粗糙度管理。
• 半導體級高純度製程：我們從原料粉體到燒結製程皆實施嚴格的金属雜質管控，確保產品在導入客戶的高真空或超高溫環境時，絕不產生二次金屬離子污染。